Projektbeschreibung
Infineon Technologies AG baut am Standort Dresden die Erweiterung seines Entwicklungszentrums für Speicherprodukte (Memory Development Center). Es wird damit die zentrale Rolle des Standorts für die Entwicklung von Prozesstechnik, insbesondere für DRAM- und Flash-Produkte, weiter stärken und ausbauen. In dem neuen Teil des Entwicklungszentrums werden innovative Speicherkonzepte und Fertigungsprozesse auf 300 mm Wafer für die Herstellung zukünftiger Speichergenerationen entwickelt. Damit baut Infineon seine Technologie- und Kostenführerschaft im weltweiten Wettbewerb um die nächsten Halbleitergenerationen weiter aus. Entwicklungszentren erarbeiten Lösungen für die anstehenden Herausforderungen und bringen diese in die Fertigungslandschaft ein.
| Projektart: | Halbleiterwerk |
| Standort: | Deutschland (Dresden) |
| Investitionssumme: | 120 Mio. EUR |
| Investor: | Infineon Technologies AG |
| Zeitraum: | 01.06.2004 – 31.05.2005 |
| Leistung: | Gesamt-Terminsteuerung |
Gesamte Terminsteuerung für Planung, Beschaffung, Bau, Inbetriebsetzung der Entwicklungs-/Produktionsgebäude sowie für die Beschaffung, Logistik und prozesstechnische Inbetriebsetzung des Equipments.
